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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

BC848CDW1T1G 

产品描述

Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 6-Pin SC-88 T/R

内部编号

277-BC848CDW1T1G

生产厂商

on semiconductor

onsemi

#1

数量:800
3000+¥0.227
最小起订量:3000
英国伦敦
当天发货,5-8个工作日送达.
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#2

数量:21000
1+¥0.3082
25+¥0.2311
100+¥0.2311
500+¥0.2311
1000+¥0.2311
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

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质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
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BC848CDW1T1G产品详细规格

规格书 BC848CDW1T1G datasheet 规格书
BC848CDW1T1G datasheet 规格书
BC84(6, 7)BDW1T1, BC848CDW1T1
文档 Copper Wire 08/Jun/2009
Rohs Lead free / RoHS Compliant
产品更改通知 Wire Change 08/Jun/2009
标准包装 3,000
晶体管类型 2 NPN (Dual)
- 集电极电流(Ic)(最大) 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 600mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 420 @ 2mA, 5V
功率 - 最大 380mW
频率转换 100MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
供应商器件封装 SOT-363
包装材料 Tape & Reel (TR)
包装 6SC-88
类型 NPN
引脚数 6
最大集电极发射极电压 30 V
集电极最大直流电流 0.1 A
最小直流电流增益 420@2mA@5V
最大工作频率 100(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压 0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA V
工作温度 -55 to 150 °C
最大功率耗散 380 mW
安装 Surface Mount
标准包装 Tape & Reel
集电极最大直流电流 0.1
欧盟RoHS指令 Compliant
最高工作温度 150
标准包装名称 SOT-23
最低工作温度 -55
最大功率耗散 380
最大基地发射极电压 5
Maximum Transition Frequency 100(Min)
封装 Tape and Reel
每个芯片的元件数 2
最大集电极基极电压 30
供应商封装形式 SC-88
最大集电极发射极电压 30
电流 - 集电极( Ic)(最大) 100mA
晶体管类型 2 NPN (Dual)
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 100MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 600mV @ 5mA, 100mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 30V
供应商设备封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
功率 - 最大 380mW
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 420 @ 2mA, 5V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
其他名称 BC848CDW1T1GOSCT
工厂包装数量 3000
集电极 - 发射极饱和电压 0.6 V
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
晶体管极性 NPN
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
直流集电极/增益hfe最小值 420 at 2 mA at 5 V
增益带宽产品fT 100 MHz
集电极 - 发射极最大电压VCEO 30 V
安装风格 SMD/SMT
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
最低工作温度 - 55 C
配置 Dual
最高工作温度 + 150 C
RoHS RoHS Compliant
连续集电极电流 0.1 A
集电极电流(DC ) 0.1 A
集电极 - 基极电压 30 V
集电极 - 发射极电压 30 V
发射极 - 基极电压 5 V
频率 100 MHz
功率耗散 0.38 W
工作温度范围 -55C to 150C
包装类型 SC-88
元件数 2
直流电流增益 420
工作温度分类 Military
弧度硬化 No
频率 - 跃迁 100MHz
供应商器件封装 SC-88/SC70-6/SOT-363
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值) 600mV @ 5mA, 100mA
晶体管类型 2 NPN (Dual)
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值) 420 @ 2mA, 5V
封装/外壳 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
功率 - 最大值 380mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) 100mA
电压 - 集射极击穿(最大值) 30V
最高工作频率 100 MHz
最大直流集电极电流 0.1 A
长度 2.2mm
最高工作温度 +150 °C
安装类型 表面贴装
最低工作温度 -50 °C
高度 1.1mm
最大基极-发射极饱和电压 0.9 V
最大功率耗散 380 mW
宽度 1.35mm
封装类型 SOT-363
最大集电极-发射极电压 30 V
引脚数目 6
最小直流电流增益 270
尺寸 2.2 x 1.35 x 1.10mm
晶体管配置
最大发射极-基极电压 5 V
最大集电极-发射极饱和电压 0.6 V
每片芯片元件数目 1
最大集电极-基极电压 30 V
宽度 1.25 mm
长度 2 mm
系列 BC848CDW1
身高 0.9 mm
Pd - Power Dissipation 380 mW
品牌 ON Semiconductor

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